Samsung улучшает память GDDR4

Прошло не более четырех месяцев с того момента, как компания Samsung Electronics сообщила о выпуске первых чипов GDDR4, а у южнокорейских специалистов уже готова новая, серьезно улучшенная версия графической памяти.
Для изготовления новых чипов GDDR4 задействован 80-нм технологический процесс. Это помогло повысить плотность чипов до 512 Мбит - вдвое выше, чем у прототипов, показанных в октябре прошлого года. Скорость работы новинки также выше - на 30%. В количественном выражении пропускная способность составляет 12,8 Гб/с (частота - 3,2 ГГц, 32-разрядные данные). Образно говоря, за одну секунду по шине данных этой памяти можно передать содержимое нескольких DVD.
Напомним, выпуск аналогичных изделий в конце прошлого года анонсировала компания Hynix Semiconductor. Их плотность также составляет 512 Мбит, но по рабочей частоте они несколько уступают памяти GDDR4 Samsung - 2,9 ГГц против 3,2 ГГц, что соответствует пропускной способности 11,6 Гб/с.
По прогнозам, спрос на GDDR4 появится во второй половине года, параллельно с переходом отрасли от 32-разрядных систем к 64-разрядным. Ожидаемый рост рынка графической памяти в 2006 году по сравнению с показателями 2005 года - 27%, до 1,9 млрд. долл. в абсолютном выражении.
Источник: Samsung Electronics