Intel представляет чипы памяти, выполненные по 45-нм техпроцессу
Гигант микроэлектронной промышленности компания Intel на днях распространила информацию о грядущем выпуске на рынок новых чипов памяти SRAM, которые будут изготавливаться с применением 45-нм техпроцесса (технология получила кодовое название P1266).
Основными преимуществами новейших 45-нм чипов памяти перед ныне выпускаемыми корпорацией Intel 65-нанометровыми являются двадцатипроцентное увеличение скорости переключения элементов памяти, удвоение плотности транзисторов на подложке, а также снижение энергопотребления на целых 30%. Правда, сразу следует сделать оговорку, что раньше середины 2007 года ожидать начала массового выпуска новых микросхем памяти не стоит: ближайшие 15 месяцев в Intel планируют потратить на совершенствование технологии.
Официальные представители Intel, к сожалению, не раскрыли никаких дополнительных данных о планах компании в этой сфере за исключением подтверждения того факта, что при изготовлении новых чипов не будет использоваться так называемая технология SOI (silicon-on-insulator – технология "кремний на изоляторе"), а сами новые кристаллы будут производиться на фабриках, расположенных в США в штатах Орегон и Аризона, а также в Израиле.
Нельзя не отметить также и то, что компании NEC и Toshiba сделали аналогичные заявления о начале работ над 45-нанометровыми чипами несколько месяцев том назад. Тем не менее, "говорящие головы" Intel старались изо всех сил позиционировать свою родную компанию как технологического лидера в этой области. "Да, мы слышали такого рода анонсы других производителей, но, заметьте, все они ничего конкретного не упоминали, не говорили о деталях", – так высказался по этому поводу г-н Марк Бор (Mark Bohr), один из высокопоставленных сотрудников Intel.
Основными преимуществами новейших 45-нм чипов памяти перед ныне выпускаемыми корпорацией Intel 65-нанометровыми являются двадцатипроцентное увеличение скорости переключения элементов памяти, удвоение плотности транзисторов на подложке, а также снижение энергопотребления на целых 30%. Правда, сразу следует сделать оговорку, что раньше середины 2007 года ожидать начала массового выпуска новых микросхем памяти не стоит: ближайшие 15 месяцев в Intel планируют потратить на совершенствование технологии.
Официальные представители Intel, к сожалению, не раскрыли никаких дополнительных данных о планах компании в этой сфере за исключением подтверждения того факта, что при изготовлении новых чипов не будет использоваться так называемая технология SOI (silicon-on-insulator – технология "кремний на изоляторе"), а сами новые кристаллы будут производиться на фабриках, расположенных в США в штатах Орегон и Аризона, а также в Израиле.
Нельзя не отметить также и то, что компании NEC и Toshiba сделали аналогичные заявления о начале работ над 45-нанометровыми чипами несколько месяцев том назад. Тем не менее, "говорящие головы" Intel старались изо всех сил позиционировать свою родную компанию как технологического лидера в этой области. "Да, мы слышали такого рода анонсы других производителей, но, заметьте, все они ничего конкретного не упоминали, не говорили о деталях", – так высказался по этому поводу г-н Марк Бор (Mark Bohr), один из высокопоставленных сотрудников Intel.
Ещё новости по теме:
18:20