Infineon SMARTi3GE: одночиповый четырех/шестидипазонный EDGE/WCDMA-трансивер
Тенденция к интеграции разных стандартов в одну микросхему не прошла мимо Infineon, которая лишь день спустя после Sirific, объявила о создании одночипового EDGE/WCDMA-трансивера. Infineon SMARTi3GE способен работать в шести частотных диапазонах WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access) и в четырех диапазонах GSM/GPRS/EDGE (Enhanced Data rates for GSM Evolution), плюс поддерживает технологию передачи данных HSDPA (High-speed Downlink Packet Access) с пропускной способностью на прием до 7,2 Мбит/с.
Новое решение, будучи интегрировано в одну микросхему, занимает на 40% меньше места, чем предыдущий аналогичный чипсет компании, состоявший из двух микросхем (четырехдиапазонного GSM/EDGE-трансивера SMARTi PM и шестидиапазонного WCDMA-трансивера SMARTi 3G). Собственно, функционально SMARTi3GE повторяет все характеристики этих двух решений, но, кроме этого, поддерживает еще и HSDPA. Размеры SMARTi3GE составляют 6х6 мм.
Характеристики:
GSM/EDGE: 850/900/1800/1900 МГц WCDMA: I – VI (диапазоны II или 1900 МГц, IV или 1,7/2,1 ГГц и V или 850 МГц используются в Северной Америке) HSDPA: category 8, до 7,2 Мбит/с Технологический процесс: 130 нм CMOS (КМОП) RF, соответствует требованиям RoHS
В настоящее время доступны пробные образцы микросхемы. Начало массового производства намечено на четвертый квартал этого года.
Новое решение, будучи интегрировано в одну микросхему, занимает на 40% меньше места, чем предыдущий аналогичный чипсет компании, состоявший из двух микросхем (четырехдиапазонного GSM/EDGE-трансивера SMARTi PM и шестидиапазонного WCDMA-трансивера SMARTi 3G). Собственно, функционально SMARTi3GE повторяет все характеристики этих двух решений, но, кроме этого, поддерживает еще и HSDPA. Размеры SMARTi3GE составляют 6х6 мм.
Характеристики:
GSM/EDGE: 850/900/1800/1900 МГц WCDMA: I – VI (диапазоны II или 1900 МГц, IV или 1,7/2,1 ГГц и V или 850 МГц используются в Северной Америке) HSDPA: category 8, до 7,2 Мбит/с Технологический процесс: 130 нм CMOS (КМОП) RF, соответствует требованиям RoHS
В настоящее время доступны пробные образцы микросхемы. Начало массового производства намечено на четвертый квартал этого года.
Ещё новости по теме:
18:20