Intel первой в мире продемонстрировала работающие 45-нанометровые микросхемы

Корпорация Intel создала микросхему, которая стала первой в мире полностью работоспособной микросхемой статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии — новейшей технологии массового производства полупроводниковых компонентов. Этот важный результат подтверждает планы корпорации Intel начать производство микросхем по 45-нанометровой производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году, а также ее намерение следовать закону Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года.
Сегодня корпорация Intel является лидером отрасли по массовому выпуску полупроводниковых компонентов с использованием 65-нанометровой производственной технологии. Две фабрики в штатах Аризона и Орегон уже работают по этой технологии, еще две фабрики — в Ирландии и штате Орегон — вступят в строй в этом году.
45-нанометровая производственная технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.
Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Ранее корпорация Intel объявила о том, что кроме фабрики D1D в штате Орегон, где были проведены начальные работы по развертыванию 45-нанометрового производственного процесса, строятся еще две фабрики по массовому производству микросхем по 45-нанометровой производственной технологии: Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.