Intel представляет 45-нм техпроцесс
Стремясь опередить конкурентов, Intel готова одной из первых объявить об успешной разработке 45-нм производственного технологического процесса и продемонстрировать образцы микросхем. По словам представителей Intel, время задержки 45-нм транзисторов в два раза меньше 65-нм аналогов, скорость переключения на 20% выше, а энергопотребление – на 30% меньше.
45-нм технологический процесс, названный P1266, использует медные проводники, изоляторы с малой диэлектрической проницаемостью (low-k), технологии "напряженного кремния" и несколько других разработок, не столь принципиальных. Собирается ли компания использовать двуокись кремния или диэлектрики с высокой проницаемостью в критических стэках затворов, не сообщается. Но, что любопытнее и неожиданнее всего, для производства будут задействованы "сухие" 193-нм литографические сканеры – вопреки ранним предположениям о намерениях перейти на иммерсионные технологии для норм 45 нм. Как сообщил Марк Бор (Mark Bohr), старший исследователь и директор подразделения архитектур процессов и интеграции Intel, иммерсионная литография ныне рассматривается как возможный вариант для производства по 32-нм нормам – если к тому моменту технологии жестко-ультрафиолетовой литографии (EUVL) будут недоступны.
К слову, IBM и TSMC, напротив, обеими руками за использование иммерсионной литографии для 45-нм норм. "Мокрые" технологии присутствуют в планах и таких компаний, как AMD, Chartered, Samsung и многих других. Вопреки тому, что многие считают целесообразным, Intel также не использует структуру SOI ("кремний-на-изоляторе"), хотя AMD, освоив SOI, уже готовится выполнять кэш-память с использованием такого неожиданного и, как оказалось, приятного бонуса, как "эффект плавающего заряда" (Z-RAM). Что ж, Intel, как обычно, в своем амплуа – упорного последователя "старой школы", несмотря на то, что это амплуа сильно подводит компанию уже второй раз.
Как водится, в роли образца 45-нм чипа предлагается статическая память (SRAM). В данном случае это – 153-Мбит микросхема размером 119 кв. мм, 0,346-кв. мм. ячейки созданы по классической шеститранзисторной схеме. Кроме SRAM, в чип встроены цепи фазовой коррекции, контроллер и регистр ввода/выводы, а также тестовые элементы. Утверждается, что в массовое производство 45-нм технологии могут быть внедрены уже в конце 2007 года.
Несмотря на то, что о своих 45-нм разработках уже сообщили, например, NEC и Toshiba, Intel заявляет о своем "технологическом превосходстве". Марк Бор считает, что "можно уверенно сказать – мы впереди остальных. Я видел их сообщения, но в них нет такого же уровня детализации, который есть у нас".
Кроме объявления 45-нм чипа, конечно же, не обошлось без камня в огород AMD, вернее, без намека на то, как Intel собирается отвоевывать технологическое первенство у конкурента – надо отдать ей должное, даже "камни" компания бросает достаточно интеллигентно. В этом году Intel планирует представить ряд двухъядерных процессоров для настольных и портативных систем. Все они будут производиться с соблюдением норм 65-нм техпроцесса.
Наконец, сообщается о готовности перевести три завода на 45-нм производство: D1D в штате Орегон, Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.
45-нм технологический процесс, названный P1266, использует медные проводники, изоляторы с малой диэлектрической проницаемостью (low-k), технологии "напряженного кремния" и несколько других разработок, не столь принципиальных. Собирается ли компания использовать двуокись кремния или диэлектрики с высокой проницаемостью в критических стэках затворов, не сообщается. Но, что любопытнее и неожиданнее всего, для производства будут задействованы "сухие" 193-нм литографические сканеры – вопреки ранним предположениям о намерениях перейти на иммерсионные технологии для норм 45 нм. Как сообщил Марк Бор (Mark Bohr), старший исследователь и директор подразделения архитектур процессов и интеграции Intel, иммерсионная литография ныне рассматривается как возможный вариант для производства по 32-нм нормам – если к тому моменту технологии жестко-ультрафиолетовой литографии (EUVL) будут недоступны.
К слову, IBM и TSMC, напротив, обеими руками за использование иммерсионной литографии для 45-нм норм. "Мокрые" технологии присутствуют в планах и таких компаний, как AMD, Chartered, Samsung и многих других. Вопреки тому, что многие считают целесообразным, Intel также не использует структуру SOI ("кремний-на-изоляторе"), хотя AMD, освоив SOI, уже готовится выполнять кэш-память с использованием такого неожиданного и, как оказалось, приятного бонуса, как "эффект плавающего заряда" (Z-RAM). Что ж, Intel, как обычно, в своем амплуа – упорного последователя "старой школы", несмотря на то, что это амплуа сильно подводит компанию уже второй раз.
Как водится, в роли образца 45-нм чипа предлагается статическая память (SRAM). В данном случае это – 153-Мбит микросхема размером 119 кв. мм, 0,346-кв. мм. ячейки созданы по классической шеститранзисторной схеме. Кроме SRAM, в чип встроены цепи фазовой коррекции, контроллер и регистр ввода/выводы, а также тестовые элементы. Утверждается, что в массовое производство 45-нм технологии могут быть внедрены уже в конце 2007 года.
Несмотря на то, что о своих 45-нм разработках уже сообщили, например, NEC и Toshiba, Intel заявляет о своем "технологическом превосходстве". Марк Бор считает, что "можно уверенно сказать – мы впереди остальных. Я видел их сообщения, но в них нет такого же уровня детализации, который есть у нас".
Кроме объявления 45-нм чипа, конечно же, не обошлось без камня в огород AMD, вернее, без намека на то, как Intel собирается отвоевывать технологическое первенство у конкурента – надо отдать ей должное, даже "камни" компания бросает достаточно интеллигентно. В этом году Intel планирует представить ряд двухъядерных процессоров для настольных и портативных систем. Все они будут производиться с соблюдением норм 65-нм техпроцесса.
Наконец, сообщается о готовности перевести три завода на 45-нм производство: D1D в штате Орегон, Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.
Ещё новости по теме:
18:20