Hitachi и Renesas разрабатывают новую память для микроконтроллеров

Четверг, 15 декабря 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Основное преимущество ячеек постоянной памяти, над которыми работают специалисты двух компаний - программирование при низких затратах энергии. Напряжение программирования - 1,5 В, ток - 100 мкА. Новинка предназначена для использования в роли постоянного запоминающего устройства микроконтроллеров следующего поколения для домашней техники, автомобилей, информационных и управляющих устройств.
Компании сообщили о готовности прототипа. По скорости записи и чтения он превосходит образцы, выпускаемые по существующей технологии. Кроме того, новая память долговечнее, компактнее и лучше интегрируется в однокристальные системы.
Для изготовления прототипа был задействован 130-нм CMOS-процесс. Транзисторы структуры "метал-окисел-полупроводник" в новой памяти работают совместно со специальной пленкой, при нагревании переходящей между аморфным состоянием, для которого характерно высокое сопротивление, и кристаллическим, в котором материал имеет низкое сопротивление. В каждой ячейке памяти сформирован вольфрамовый "донный электрод" (bottom-electrode contact, BEC) диаметром 180 нм. Состояние ячейки ("1" или "0") определяется по току, протекающему в направлении пленки.
Источник: Renesas

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 575
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003