IEDM: как Intel, AMD и IBM делают свои транзисторы быстрее
Вчера, в ходе симпозиума IEDM (International Electron Devices Meeting), было представлено несколько разработок, касающихся будущих полупроводниковых технологий. В частности, Intel рассказала о своем 65-нм транзисторе, созданном по технологии "напряженного" кремния (strained silicon).
Более того, Intel уже начала производство 65-нм микропроцессоров, которые начнут поступать в продажу в начале будущего года. В ходе IEDM были продемонстрированы фотографии кристаллов четырех двухъядерных процессоров, произведенных с соблюдением норм 65-нм техпроцесса, и в их числе – Yonah и Cedarmill. Утверждается, что производительность 64-нм транзистора примерно на 37% выше, чем 90-нм, при величине периода осциллятора 4,25 пс.
Любопытно, что Intel внесла чрезвычайно мало изменений по сравнению с 90-нм технологией, из которых самыми значительными является изменение количества германия в области истока и стока PMOS-устройства. Нанесенный в соответствующие области германий, собственно, и создает напряжение, позволившее улучшить характеристики транзистора.
В отличие от AMD и IBM, Intel не стала использовать нитрид в области затвора – в компании решили, что достигнутый уровень производительности является приемлемым при том, что себестоимость нового техпроцесса не стала выше.
AMD и IBM, которые также выступали в ходе IEDM, помимо "напряженного" кремния, планируют использовать его нитрид в области затвора, причем сначала эту технологию планируется "обкатать" на 90-нм нормах, а уже затем использовать ее в 65-нм производстве. Исследователи AMD и IBM надеются, что им удастся добиться 50% улучшения производительности (надо полагать, в 65-нм процессах).
Более того, Intel уже начала производство 65-нм микропроцессоров, которые начнут поступать в продажу в начале будущего года. В ходе IEDM были продемонстрированы фотографии кристаллов четырех двухъядерных процессоров, произведенных с соблюдением норм 65-нм техпроцесса, и в их числе – Yonah и Cedarmill. Утверждается, что производительность 64-нм транзистора примерно на 37% выше, чем 90-нм, при величине периода осциллятора 4,25 пс.
Любопытно, что Intel внесла чрезвычайно мало изменений по сравнению с 90-нм технологией, из которых самыми значительными является изменение количества германия в области истока и стока PMOS-устройства. Нанесенный в соответствующие области германий, собственно, и создает напряжение, позволившее улучшить характеристики транзистора.
В отличие от AMD и IBM, Intel не стала использовать нитрид в области затвора – в компании решили, что достигнутый уровень производительности является приемлемым при том, что себестоимость нового техпроцесса не стала выше.
AMD и IBM, которые также выступали в ходе IEDM, помимо "напряженного" кремния, планируют использовать его нитрид в области затвора, причем сначала эту технологию планируется "обкатать" на 90-нм нормах, а уже затем использовать ее в 65-нм производстве. Исследователи AMD и IBM надеются, что им удастся добиться 50% улучшения производительности (надо полагать, в 65-нм процессах).
Ещё новости по теме:
18:20