Hynix увеличила скорость памяти DRAM

Вторник, 6 декабря 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Hynix Semiconductor анонсировала о создании первого в мире модуля памяти 512 Megabit GDDR4 DRAM, самого быстрого модуля памяти типа DRAM.
GDDR является сверхбыстрой графической памятью DRAM, обрабатывающей движущиеся изображения и графические данные в персональных компьютерах и игровых консолях. Графическая память четвертого поколения GDDR4 функционирует со скоростью 2,9 Гбит/сек и обрабатывает 11,6 Гб данных в секунду.

Hynix вскоре намерена поставлять образцы GDDR4 ведущим производителям графических чипсетов и планирует начать массовое производство модулей с начала 2006 г.
Компания Hynix планирует также представить модуль GDDR4 DRAM со скоростью обработки 14,4Гб/сек во второй половине 2006 г.
Мнение IT специалистов: как относятся к AMD в России?

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 513
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003