STMicroelectronics выпускает MCP флэш+RAM увеличенной плотности
Компания STMicroelectronics добавила в свое портфолио новую микросхему NOR флэш-памяти плотностью 512 Мбит, предназначенную для использования в мобильных телефонах.
Если быть точным, то в решении STMicro в одном корпусе могут быть объединены 256-Мбит или 512-Мбит чип NOR флэш-памяти и псевдостатическая память (PSRAM) или LPSDRAM (low-power synchronous dynamic random access memory), выполненные с соблюдением норм 90-нм техпроцесса. Всего же плотность такой многочиповой микросхемы (MCP, multiple-chip package) может составить до 1 Гбит.
Тактовая частота новинки (при чтении) составляет до 133 МГц, пропускная способность – до 500 Кбит/с. При производстве решения использованы технологии многоуровневых ячеек и архитектура multiple-bank architecture.
Возможны следующие варианты: NOR Flash + PSRAM (LFBGA107, 8 x 11 мм), NOR Flash + LPSDRAM (xFBGA105, 9x11 мм). Стоимость решения в крупных партиях составит 12-14 долларов.
Если быть точным, то в решении STMicro в одном корпусе могут быть объединены 256-Мбит или 512-Мбит чип NOR флэш-памяти и псевдостатическая память (PSRAM) или LPSDRAM (low-power synchronous dynamic random access memory), выполненные с соблюдением норм 90-нм техпроцесса. Всего же плотность такой многочиповой микросхемы (MCP, multiple-chip package) может составить до 1 Гбит.
Тактовая частота новинки (при чтении) составляет до 133 МГц, пропускная способность – до 500 Кбит/с. При производстве решения использованы технологии многоуровневых ячеек и архитектура multiple-bank architecture.
Возможны следующие варианты: NOR Flash + PSRAM (LFBGA107, 8 x 11 мм), NOR Flash + LPSDRAM (xFBGA105, 9x11 мм). Стоимость решения в крупных партиях составит 12-14 долларов.
Ещё новости по теме:
18:20