Нанокристальная флэш-память "убьет" обычные флэш-чипы
Растущий спрос на устройства флэш-памяти позволяет компаниям-производителям надеяться, что к 2008-2009 году подобные накопители станут доминирующими на рынке. Не исключено, что они вытеснят альтернативные варианты за счет более низкого энергопотребления и высоких скоростей обмена данными, а также высокой емкости конечных устройств. Еще один шаг в этом направлении осуществила компания Freescale Semiconductor, представившая 24 Мбит нанокристаллический флэш-чип.
Сообщается, что новинка, ставшая первым в индустрии 24 Мбит массивом памяти, основанным на кремниевых нанокристаллах, является важным достижением, позволяющим в будущем заменить обычную флэш-память на основе "плавающего затвора". Новые устройства производятся по 90-нм CMOS-технологии и могут изготовляться на уже существующем оборудовании. Одним из достоинств нанокристаллической флэш-памяти является низкая стоимость производства, что приведет к невысокой стоимости конечных накопителей - уже сообщается о возможном снижении цен на флэш-память на 10-15%.
Слой оксида, обеспечивающего туннелирование электронов, в новых устройствах можно сделать значительно более тонким, что обеспечивает функционирование при меньшем приложенном напряжении и снижает размеры модулей памяти. Таким образом, использование слоя оксида меньшей толщины уже позволило использовать для питания устройства 6 В, в то время как для обычных устройств подобный показатель равняется 9 В.
Freescale Semiconductor планирует уже к концу 2007 года внедрить коммерческое использование своей разработки. Нанокристальная флэш-память будет производиться по 65-нм технологическому процессу, емкость устройств составит 24 или 32 Мбит.
Сообщается, что новинка, ставшая первым в индустрии 24 Мбит массивом памяти, основанным на кремниевых нанокристаллах, является важным достижением, позволяющим в будущем заменить обычную флэш-память на основе "плавающего затвора". Новые устройства производятся по 90-нм CMOS-технологии и могут изготовляться на уже существующем оборудовании. Одним из достоинств нанокристаллической флэш-памяти является низкая стоимость производства, что приведет к невысокой стоимости конечных накопителей - уже сообщается о возможном снижении цен на флэш-память на 10-15%.
Слой оксида, обеспечивающего туннелирование электронов, в новых устройствах можно сделать значительно более тонким, что обеспечивает функционирование при меньшем приложенном напряжении и снижает размеры модулей памяти. Таким образом, использование слоя оксида меньшей толщины уже позволило использовать для питания устройства 6 В, в то время как для обычных устройств подобный показатель равняется 9 В.
Freescale Semiconductor планирует уже к концу 2007 года внедрить коммерческое использование своей разработки. Нанокристальная флэш-память будет производиться по 65-нм технологическому процессу, емкость устройств составит 24 или 32 Мбит.
Ещё новости по теме:
18:20