Samsung начинает массовый выпуск Mobile DRAM 512 Мб по нормам 90 нм
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства памяти плотностью 512 Мб для мобильных применений (Mobile DRAM) с соблюдением норм технологического процесса 90 нм. По утверждению компании, это первая "мобильная" память, выпускаемая по таким нормам. Разработка была анонсирована в январе текущего года.
Требования к скорости и объему памяти со стороны телефонов и другой портативной электроники возрастают под влиянием средств трехмерной графики, все чаще реализуемых в таких устройствах. Новая память Samsung рассчитана на подключение к 32-разрядной шине данных и способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 1,3 Гб/с.
Объединением двух новых чипов в "двухэтажную" конструкцию, Samsung предоставляет разработчикам возможность добавления в мобильное устройство целого гигабайта памяти установкой всего лишь одной микросхемы.
Как утверждает производитель, новая память имеет еще одно важное преимущество перед традиционно используемой памятью SDRAM - примерно в два раза меньшее энергопотребление.
Источник: Samsung Electronics
Требования к скорости и объему памяти со стороны телефонов и другой портативной электроники возрастают под влиянием средств трехмерной графики, все чаще реализуемых в таких устройствах. Новая память Samsung рассчитана на подключение к 32-разрядной шине данных и способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 1,3 Гб/с.
Объединением двух новых чипов в "двухэтажную" конструкцию, Samsung предоставляет разработчикам возможность добавления в мобильное устройство целого гигабайта памяти установкой всего лишь одной микросхемы.
Как утверждает производитель, новая память имеет еще одно важное преимущество перед традиционно используемой памятью SDRAM - примерно в два раза меньшее энергопотребление.
Источник: Samsung Electronics
Ещё новости по теме:
18:20