Samsung отложила производство 3- и 2-нм микросхем следующего поколения

В настоящее время 5-нанометровое производство является самой передовой технологией в производстве современных микросхем. Следующим важным шагом должен стать переход на 3-нанометровый технологический процесс.

Пару лет назад Samsung представила узлы 3GAE (3-нм Gate-All-Around Early) и 3GAP (3-нм Gate-All-Around Plus), обещая значительное снижение энергопотребления и повышение общей производительности. Теперь южнокорейский гигант объявил о переносе технологии производства 3-нм чипов на 2022 год. Более того, компания также отложила выпуск 2-нм чипа до 2025 года.

Samsung использует передовые технологии для производства наборов микросхем, а клиентами южнокорейского гиганта являются Qualcomm, IBM и другие крупные компании. Samsung конкурирует с TSMC, которая также объявила несколько месяцев назад, что отложит запуск 3-нм микросхем.

На момент анонса в 2019 году Samsung заявила, что 3-нм техпроцесс может предложить 35-процентный скачок производительности в дополнение к 50-процентному снижению энергопотребления по сравнению с технологическим процессом 7LPP.

Отсрочка внедрения новой технологии имеет смысл, учитывая, что производители микросхем находятся под огромным давлением, поскольку в настоящее время наблюдается глобальная нехватка полупроводников. Компания Samsung хочет придерживаться проверенного процесса с более высокой производительностью по сравнению с экспериментальным процессом.