Samsung выпустит SSD на новой флэш-памяти во втором полугодии. Речь о памяти V-NAND седьмого поколения
Samsung объявила о том, что во второй половине года собирается показать свой первый потребительский SSD на основе флэш-памяти V-NAND седьмого поколения.
Эта флэш-память выделяется 176-слойным дизайном. Для сравнения, V-NAND шестого поколения состояла из 100 слоёв ячеек, а первое поколение характеризовалось наличием 23 слоёв.
Samsung ожидает, что новое поколение флэш-памяти будет соответствовать требованиям не только интерфейса PCIe 4.0, но и PCIe 5.0 благодаря пропускной способности системы ввода-вывода в 2 Гбит/с.
Кроме того, у компании уже есть рабочий чип V-NAND восьмого поколения с более чем 200 слоями ячеек.
Эта флэш-память выделяется 176-слойным дизайном. Для сравнения, V-NAND шестого поколения состояла из 100 слоёв ячеек, а первое поколение характеризовалось наличием 23 слоёв.
Samsung ожидает, что новое поколение флэш-памяти будет соответствовать требованиям не только интерфейса PCIe 4.0, но и PCIe 5.0 благодаря пропускной способности системы ввода-вывода в 2 Гбит/с.
Кроме того, у компании уже есть рабочий чип V-NAND восьмого поколения с более чем 200 слоями ячеек.
Ещё новости по теме:
18:20