Samsung создала модуль оперативной памяти на 512 ГБ
Удивительное рядом Несмотря на проблемы в мире компьютерных комплектующих, производители продолжают демонстрировать свои новейшие разработки. Так, например, Samsung создала и показала модуль оперативной памяти DDR5, объём которого 512 ГБ.
В основу решения легла технологий High-K Metal Gate (HKMG), пишет сама компания. Её суть заключается в использовании диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.
Такая память, разумеется, создавалась не для совсем обычных домашних компьютеров. «Целевой аудиторией» такого решения, скорее, являются ЦОД и суперкомпьютеры.
Интересной особенностью южнокорейской разработки является то, что специалистам компании удалось на одном модуле разместить восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ. Они, в свою очередь, были объединены через объёмную компоновку с межслойными соединениями.
В основу решения легла технологий High-K Metal Gate (HKMG), пишет сама компания. Её суть заключается в использовании диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.
Такая память, разумеется, создавалась не для совсем обычных домашних компьютеров. «Целевой аудиторией» такого решения, скорее, являются ЦОД и суперкомпьютеры.
Интересной особенностью южнокорейской разработки является то, что специалистам компании удалось на одном модуле разместить восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ. Они, в свою очередь, были объединены через объёмную компоновку с межслойными соединениями.
Ещё новости по теме:
18:20