Samsung ожидает, что переход на DDR5 начнётся в следующем полугодии
Южнокорейская компания Samsung Electronics сегодня сообщила, что готова начать производство модулей памяти типа DDR5–7200 объёмом 512 Гбайт с использованием технологии HKMG, ранее преимущественно использовавшейся при выпуске центральных процессоров. Материалы с высоким значением диэлектрической константы и металлизированные затворы определяют специфику этой методики изготовления полупроводниковых компонентов, при производстве памяти они позволяют снизить энергопотребление микросхемы на 13%. Источник изображения: Samsung
Samsung не скрывает, что распространение DDR5 в серверном сегменте начнётся во второй половине текущего года, поскольку Intel обещает начать поставки своих 10-нм процессоров Xeon семейства Sapphire Rapids. Компания AMD предложит поддержку DDR5 к моменту выхода 5-нм процессоров EPYC с архитектурой Zen 4 (Genoa), который намечен на следующий год. В структуре поставок DDR5 начнёт доминировать над DDR4 во второй половине 2023 года, как отмечают представители корейского производителя.
Samsung не скрывает, что распространение DDR5 в серверном сегменте начнётся во второй половине текущего года, поскольку Intel обещает начать поставки своих 10-нм процессоров Xeon семейства Sapphire Rapids. Компания AMD предложит поддержку DDR5 к моменту выхода 5-нм процессоров EPYC с архитектурой Zen 4 (Genoa), который намечен на следующий год. В структуре поставок DDR5 начнёт доминировать над DDR4 во второй половине 2023 года, как отмечают представители корейского производителя.
Ещё новости по теме:
18:20