Компания Samsung представила память HBM2E третьего поколения — Flashbolt

Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory) HBM2E третьего поколения, которая получила имя Flashbolt. Эта память была анонсирована в марте прошлого года, а начать ее серийный выпуск южнокорейский производитель обещает в текущем полугодии.

Как и память HBM2E второго поколения Aquabolt, новая память предназначена для суперкомпьютеров, приложений искусственного интеллекта и графических систем.

По сравнению с Aquabolt объем памяти в расчете на стек удвоен. В одном стеке на буферном кристалле собрано восемь кристаллов DRAM плотностью по 16 Гбит, что дает объем 16 ГБ. Кристаллы выпускаются по нормам 1y нм. Они связаны между собой более чем 40 000 межслойными соединениями (TSV) — по 5600 на кристалл.

Память Samsung Flashbolt поддерживает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с, а пропускная способность всего стека достигает 410 ГБ/с. Более того, по словам Samsung, скорость может достигать 4,2 Гбит/с, а пропускная способность — 538 ГБ/с. Этот показатель в 1,75 раза превышает пропускную способность Aquabolt, равную 307 ГБ/с.

Производитель отмечает, что поставки памяти HBM2 Aquabolt будут продолжены.