Samsung теперь может создавать 12-слойные микросхемы памяти HBM2

Чтобы поддерживать темпы повышения производительности вычислительной техники, плотность размещения транзисторов уже нельзя увеличивать только в плоскостном выражении — процессоры и микросхемы должны расти в высоту, как не устают говорить представители Intel и TSMC в последнее время. Компания Samsung Electronics доказала свою способность соответствовать требованиям времени, и сообщила на этой неделе, что освоила технологию создания 12-слойных микросхем HBM2. Напомним, что выпускаемые сейчас серийно микросхемы памяти этого типа имеют не более восьми слоёв. реклама Источник изображения: Samsung Electronics реклама



Примечательно, что общую высоту микросхемы при этом удалось сохранить прежней — не более 0,72 мм. Уменьшив толщину слоёв и расстояние между ними, Samsung смогла не только увеличить скорость передачи информации, но и снизить уровень энергопотребления. В ближайшие планы Samsung входит увеличение объёма информации, хранимого в одном слое микросхемы, в два раза от текущего. В перспективе, это позволит выпускать микросхемы HBM2 объёмом не 8 Гбайт, а 24 Гбайт, если учесть увеличение количества слоёв до двенадцати штук.