Компания Intel первой продемонстрировала 144-слойную флеш-память QLC NAND
Вчера в Сеуле прошло мероприятие, в ходе которого компания Intel рассказала о своих технологических разработках и представила несколько достижений.
В частности, участникам встречи были представлены планы Intel по эксплуатации новой линии, выпускающей память Optane на предприятии в Рио-Ранчо, штат Нью-Мексико. Также было анонсировано второе поколение энергонезависимой памяти Intel Optane DC с кодовым названием Barlow Pass, которое планируется выпустить в 2020 году одновременно с процессором Intel Xeon Scalable следующего поколения. Кроме того, впервые в отрасли компания Intel продемонстрировала 144-слойную флеш-память QLC (Quad Level Cell) NAND, предназначенную для твердотельных накопителей, используемых в центрах обработки данных.
В этих SSD память Intel Optane будет дополнять память QLC NAND, обеспечивая сочетание высокой производительности и объема. Появление таких накопителей на рынке также ожидается в 2020 году.
В частности, участникам встречи были представлены планы Intel по эксплуатации новой линии, выпускающей память Optane на предприятии в Рио-Ранчо, штат Нью-Мексико. Также было анонсировано второе поколение энергонезависимой памяти Intel Optane DC с кодовым названием Barlow Pass, которое планируется выпустить в 2020 году одновременно с процессором Intel Xeon Scalable следующего поколения. Кроме того, впервые в отрасли компания Intel продемонстрировала 144-слойную флеш-память QLC (Quad Level Cell) NAND, предназначенную для твердотельных накопителей, используемых в центрах обработки данных.
В этих SSD память Intel Optane будет дополнять память QLC NAND, обеспечивая сочетание высокой производительности и объема. Появление таких накопителей на рынке также ожидается в 2020 году.
Ещё новости по теме:
18:20