Samsung разработада 512 Mbit DDR2-чипы по 70 нм нормам

Как стало известно информационному ресурсу The Inquirer, компания Samsung объявила об окончании разработки чипов памяти DDR2 объемом 512 Mbit, произведенных по 70 нм техпроцессу. Отметим, что ранее Samsung выпускала такие чипы с соблюдением 80 нм и 90 нм норм производства. Новые чипы начнут производится во второй половине следующего года и будут предназначаться для модулей памяти DRAM. Такой переход на новый техпроцесс позволит уменьшить размеры чипов и увеличить их объем.

Если учесть тот факт, что месяц назад Samsung объявила о выпуске новых чипов NAND-флэш памяти произведенных по 50 нм техпроцессу, то не исключено, что "обыкновенная" память будет стремительно приближаться к флэш-памяти по данному параметру. Соблюдение таких норм техпроцесса "открыло" чипам NAND-флэш памяти объем 16 Gbit. Интересно, к каким же объемам памяти приведет такой переход для DDR2?