Быстрая энергонезависимая память на основе нанотрубок появится летом 2006 года

Основными недостатками сегодняшней оперативной и флэш-памяти являются относительно низкая производительность и необходимость питания для хранения данных. Компания Nantero сообщила об изготовлении памяти на основе нанотрубок, которая свободна от выше перечисленных недостатков, и обладает дополнительными преимуществами. Запись информации осуществляется посредством передвижения цепочки нанотрубок вверх или вниз - соответственно, единица или ноль в двоичном представлении. Такой подход обеспечивает энергонезависимость памяти, в отличие от памяти на основе электрических транзисторов.

Компания сообщает об изготовлении круглых пластин, диаметр которых составляет 13 см, позволяющих сохранять до 10 Гбит данных. При этом скорость считывания/записи информации в 10 раз выше таковой для флэш-памяти. Работа и устройство новой памяти состоят в следующем: ленты из нанотрубок подвешены над электродами, образуя подобие моста. После приложения напряжения ленты изгибаются и соприкасаются с электродом, а деформация нанолент сохраняется даже после отключения питания устройства.

Новая память получила обозначение NRAM (nanotube-based, non-volatile random access memory) - основанная на нанотрубках энергонезависимая оперативная память. Компания планирует, что новая разработка найдет свое применение в портативных электронных устройствах, таких как музыкальные плееры, фотоаппараты, наладонники и так далее.

На данный момент ведутся работы по созданию логических систем на основе новой разработки, а появление готовых прототипов устройств намечено на лето 2006 года.