SK Hynix анонсировала 10-нм 16-Гбит DDR5 DRAM
Южнокорейская компания SK Hynix сообщила, что она завершила разработку 16 Гбит памяти DDR5 DRAM, которая первой готова встретить спецификации комитета JEDEC (чистовая версия спецификаций пока не утверждена). Для выпуска кристаллов памяти адаптировано второе поколение техпроцесса класса 10 нм. Недавно с помощью этого техпроцесса SK Hynix приступила к массовому производству 8-Гбит памяти DDR4 (кодовое имя техпроцесса — 1Ynm, за которым могут скрываться 18-нм, 17-нм или 16-нм технологические нормы).
Память DDR5 станет следующим этапом по совершенствованию компьютерной памяти, обещая по сравнению с DDR4 возросшую производительность и плотность, а также уменьшенное потребление. Она найдёт истинное применение в таких платформах с интенсивными вычислениями, как Большие Данные, искусственный интеллект и машинное обучение.
Разработчики SK Hynix успешно снизили рабочее напряжение кристаллов DDR5 с 1,2 вольт до 1,1 вольта (как того требует новый стандарт), что дало снижение потребления по сравнению с памятью DDR4 на 30%. Разработанный 16-Гбит кристалл памяти DDR5 поддерживает скорость обмена 5200 Мбит/с на контакт, что на 60% быстрее по сравнению с чипами DDR4–3200. Скорость интерфейса при этом возрастёт до 41,6 Гбайт/с.
Для разработки модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) на основе новых кристаллов DDR5 компания SK Hynix тесно сотрудничает с производителями модулей памяти. Стандарт JEDEC DDR5 предполагает увеличение количества банков памяти в два раза: с 16 у DDR4 до 32 у DDR5, так что им есть над чем вместе поработать. Также новая память по умолчанию будет включать схемы ECC-коррекции ошибок, так что схемотехника модулей и буферов должна быть приведена в соответствие.
Массовое производство разработки компания планирует начать в 2020 году, когда на память DDR5 начнёт появляться устойчивый спрос. Компания Micron, например, планирует запустить память DDR5 в производство в конце 2019 года, что ненамного раньше аналогичной инициативы SK Hynix. Как считают аналитики, например, компании IDC, после начала заметного спроса на DDR5 в 2020 году уже в 2021 году доля DDR5 в производстве достигнет 25%, и 44% в 2022 году.
Память DDR5 станет следующим этапом по совершенствованию компьютерной памяти, обещая по сравнению с DDR4 возросшую производительность и плотность, а также уменьшенное потребление. Она найдёт истинное применение в таких платформах с интенсивными вычислениями, как Большие Данные, искусственный интеллект и машинное обучение.
Разработчики SK Hynix успешно снизили рабочее напряжение кристаллов DDR5 с 1,2 вольт до 1,1 вольта (как того требует новый стандарт), что дало снижение потребления по сравнению с памятью DDR4 на 30%. Разработанный 16-Гбит кристалл памяти DDR5 поддерживает скорость обмена 5200 Мбит/с на контакт, что на 60% быстрее по сравнению с чипами DDR4–3200. Скорость интерфейса при этом возрастёт до 41,6 Гбайт/с.
Для разработки модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) на основе новых кристаллов DDR5 компания SK Hynix тесно сотрудничает с производителями модулей памяти. Стандарт JEDEC DDR5 предполагает увеличение количества банков памяти в два раза: с 16 у DDR4 до 32 у DDR5, так что им есть над чем вместе поработать. Также новая память по умолчанию будет включать схемы ECC-коррекции ошибок, так что схемотехника модулей и буферов должна быть приведена в соответствие.
Массовое производство разработки компания планирует начать в 2020 году, когда на память DDR5 начнёт появляться устойчивый спрос. Компания Micron, например, планирует запустить память DDR5 в производство в конце 2019 года, что ненамного раньше аналогичной инициативы SK Hynix. Как считают аналитики, например, компании IDC, после начала заметного спроса на DDR5 в 2020 году уже в 2021 году доля DDR5 в производстве достигнет 25%, и 44% в 2022 году.
Ещё новости по теме:
18:20