Южнокорейские производители памяти готовятся к внедрению EUV-литографии
На прошлой неделе мы узнали о планах Samsung по использованию так называемой EUV-литографии при производстве микросхем и процессоров, но сегодня ресурс DigiTimes со ссылкой на корейское издание Korea’s Business Post сообщил, что оба национальных производителя памяти готовы внедрять литографию со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением для выпуска профильной продукции. Источник изображения: Samsung Electronics
Фактически, Samsung рассчитывает внедрить EUV-литографию при производстве микросхем памяти ещё в рамках техпроцессов так называемого 10-нм поколения, в которое входят все возможные техпроцессы с нормами от 10 до 19 нм включительно. Соответственно, и при переходе на более «тонкие» техпроцессы из диапазона до 10 нм, Samsung будет активно использовать EUV. Свои разработки на этом направлении ведёт и компания SK Hynix.
Первое время EUV-литография будет применяться только при производстве самых выгодных микросхем памяти высокой плотности. Ожидается, что переход на этот тип литографии позволит не только повысить плотность размещения элементов на микросхеме и сократить себестоимость, но и поднять быстродействие, одновременно снизив энергопотребление.
Напомним, что Micron особой потребности в спешном внедрении EUV при производстве памяти не видит, но на фоне подобной активности корейских конкурентов американский производитель может и передумать.
Фактически, Samsung рассчитывает внедрить EUV-литографию при производстве микросхем памяти ещё в рамках техпроцессов так называемого 10-нм поколения, в которое входят все возможные техпроцессы с нормами от 10 до 19 нм включительно. Соответственно, и при переходе на более «тонкие» техпроцессы из диапазона до 10 нм, Samsung будет активно использовать EUV. Свои разработки на этом направлении ведёт и компания SK Hynix.
Первое время EUV-литография будет применяться только при производстве самых выгодных микросхем памяти высокой плотности. Ожидается, что переход на этот тип литографии позволит не только повысить плотность размещения элементов на микросхеме и сократить себестоимость, но и поднять быстродействие, одновременно снизив энергопотребление.
Напомним, что Micron особой потребности в спешном внедрении EUV при производстве памяти не видит, но на фоне подобной активности корейских конкурентов американский производитель может и передумать.
Ещё новости по теме:
18:20