Компания Samsung рассказала о памяти GDDR6, используемой в 3D-картах Nvidia Quadro RTX
Представляя 3D-карты Nvidia Quadro RTX 5000, RTX 6000 и RTX 8000 на архитектуре Turing, производитель упомянул, что в них используется память GDDR6, но не стал вдаваться в подробности. За него это сегодня сделала компания Samsung, выступающая поставщиком памяти GDDR6 для 3D-карт Nvidia Quadro RTX 5000, RTX 6000 и RTX 8000.
В пресс-релизе, опубликованном южнокорейским электронным гигантом, сказано, что в новых картах Nvidia используются микросхемы GDDR6 плотностью 16 Гбит. Это первые микросхемы GDDR6 плотностью 16 Гбит, доступные на рынке. Они в два раза превосходят по информационной емкости 20-нанометровые микросхемы памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит, выпускаемые компанией.
Скорость передачи данных новой памяти составляет 14 Гбит/с в расчете на линию, что соответствует пропускной способности 56 ГБ/с. Этот показатель на 75% превосходит пропускную способность микросхем GDDR5 плотностью 8 Гбит, работающих со скоростью 8 Гбит/с.
Кроме того, память GDDR6 производства Samsung потребляет на 35% меньше энергии, чем микросхемы GDDR5. Используя современную схему с низким энергопотреблением, память GDDR6 производства Samsung работает при напряжении питания 1,35 В. Для сравнения: типичное напряжение питания памяти GDDR5, представленной на рынке, равно 1,55 В.
Напомним, конфигурация Quadro RTX 5000 включает 16 ГБ памяти GDDR6, конфигурация Quadro RTX 6000 — 24 ГБ, конфигурация Quadro RTX 8000 — 48 ГБ.
Комментировать
В пресс-релизе, опубликованном южнокорейским электронным гигантом, сказано, что в новых картах Nvidia используются микросхемы GDDR6 плотностью 16 Гбит. Это первые микросхемы GDDR6 плотностью 16 Гбит, доступные на рынке. Они в два раза превосходят по информационной емкости 20-нанометровые микросхемы памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит, выпускаемые компанией.
Скорость передачи данных новой памяти составляет 14 Гбит/с в расчете на линию, что соответствует пропускной способности 56 ГБ/с. Этот показатель на 75% превосходит пропускную способность микросхем GDDR5 плотностью 8 Гбит, работающих со скоростью 8 Гбит/с.
Кроме того, память GDDR6 производства Samsung потребляет на 35% меньше энергии, чем микросхемы GDDR5. Используя современную схему с низким энергопотреблением, память GDDR6 производства Samsung работает при напряжении питания 1,35 В. Для сравнения: типичное напряжение питания памяти GDDR5, представленной на рынке, равно 1,55 В.
Напомним, конфигурация Quadro RTX 5000 включает 16 ГБ памяти GDDR6, конфигурация Quadro RTX 6000 — 24 ГБ, конфигурация Quadro RTX 8000 — 48 ГБ.
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20