Seiko Epson ценит в памяти гибкость

Специалистам японской компании Seiko Epson удалось спроектировать и изготовить оперативную память, отличающуюся, в буквальном смысле слова, гибкостью.
Компания продемонстрировала модуль SRAM объемом 16 килобит, полученный в результате работы. Первоначально, электронные цепи модуля были сформированы на стеклянной подложке по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния, а затем — перенесены на гибкую пластиковую основу при помощи технологии SUFTLA, разработанной в Seiko Epson.

По словам компании, это "первая в мире гибкая память SRAM, выполненная по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния". Напомним, технология SUFTLA уже позволила Seiko Epson изготовить гибкую "электронную бумагу" и гибкий 8-разрядный микропроцессор. Представитель компании сообщил, что гибкая память и гибкий процессор были проверены в совместной работе: память была использована для временного хранения данных тестовой программы.
Каждая ячейка памяти состоит из шести транзисторов. Ее размеры — 68 x 47,5 микрометров. Память работает при напряжении питания от +3 до +6 В. Для уменьшения времени доступа, в модуль интегрирован усилитель считывания. Это позволило при напряжении питания +6 В обеспечить время чтения — 200 нс, записи — 100 нс. С понижением напряжения до +3 В, время возрастает до 650 и 325 нс, соответственно. Общий размер схемы — 10,77 x 8,28 мм, а толщина — 200 мкм.
Источник: Nikkei Electronics