Seiko Epson изобрела чип статической памяти на мягкой подложке
Компания Seiko Epson создала чип статической оперативной памяти (SRAM) ёмкостью 16 килобайт на гибкой прозрачной пластиковой подложке. Инженерам компании удалось реализовать перенос микросхем SRAM на гибкую основу (которая изготавливается из низкотемпературного поликристаллического материала на основе кремния, внешне напоминающего стекло) благодаря так называемой технологии SUEFTLA.
Как говорят сотрудники компании, подобный чип является уникальным, так как аналогов пока что у него нет. Используя возможности вышеупомянутой технологии SEUFTLA, Seiko Epson до сих пор выпускал несколько другие устройства (например, гибкую электронную бумагу и даже асинхронный восьмибитный микропроцессор). Кроме того, один из представителей компании заявил, что инженерам уже удалось запустить тестовую демонстрационную программу на аппаратной платформе, состоящей из "гибких" 8-битного микропроцессора и нового чипа памяти SRAM.
Выполненная по технологическому процессу 3 мкм, каждая ячейка памяти состоит из 6 транзисторов, а размеры её составляют 68х47,5 микрометров. Ради увеличения скорости доступа к памяти схема так называемого усилителя считывания была также интегрирована в сам новый чип. Таким образом, при рабочем напряжении 6 вольт время доступа к ячейкам памяти для выполнения операции чтения данных составляет около 200 наносекунд, а при операции записи – всего около 100 наносекунд. При уменьшении рабочего напряжения схемы в два раза (до 3 В) эти параметры возрастают до 650 и 325 наносекунд соответственно. Размеры нового 16 Кб чипа SRAM составляют всего 10,77х8,28 миллиметров при толщине 200 микрометров. Диапазон рабочего напряжения питания схемы, как мы уже писали, находится в предалах от трех до шести вольт.
Как говорят сотрудники компании, подобный чип является уникальным, так как аналогов пока что у него нет. Используя возможности вышеупомянутой технологии SEUFTLA, Seiko Epson до сих пор выпускал несколько другие устройства (например, гибкую электронную бумагу и даже асинхронный восьмибитный микропроцессор). Кроме того, один из представителей компании заявил, что инженерам уже удалось запустить тестовую демонстрационную программу на аппаратной платформе, состоящей из "гибких" 8-битного микропроцессора и нового чипа памяти SRAM.
Выполненная по технологическому процессу 3 мкм, каждая ячейка памяти состоит из 6 транзисторов, а размеры её составляют 68х47,5 микрометров. Ради увеличения скорости доступа к памяти схема так называемого усилителя считывания была также интегрирована в сам новый чип. Таким образом, при рабочем напряжении 6 вольт время доступа к ячейкам памяти для выполнения операции чтения данных составляет около 200 наносекунд, а при операции записи – всего около 100 наносекунд. При уменьшении рабочего напряжения схемы в два раза (до 3 В) эти параметры возрастают до 650 и 325 наносекунд соответственно. Размеры нового 16 Кб чипа SRAM составляют всего 10,77х8,28 миллиметров при толщине 200 микрометров. Диапазон рабочего напряжения питания схемы, как мы уже писали, находится в предалах от трех до шести вольт.
Ещё новости по теме:
18:20