Spansion представляет 90-нм 1-Гбит MCP ORNAND-памяти
Как сообщает источник со ссылкой на клиентов Spansion (совместное предприятие AMD и Fujitsu), компания планирует начать поставки пробных экземпляров микросхем флэш-памяти, выполненных по технологии ORNAND. Микросхемы будут выполнены по технологии MCP (multi cell package) с соблюдением норм 90-нм технологического процесса и предоставят плотность 1 Гбит. ORNAND флэш-память Spansion позиционирует для использования в мобильных телефонах.
Источник отмечает, что Spansion официально подтвердила намерение начать поставки пробных экземпляров уже в этом году, добавив, что в будущем году собирается выпустить 2-Гбит версию.
В 1-Гбит MCP-микросхему также войдет использующая технологию MirrorBit флэш-память архитектуры NOR и однотранзисторная (1T) псевдостатическая оперативная память (1T PSRAM). Spansion планирует выпускать 90-нм ORNAND-чипы на заводе Fab 25 в Остине (Austin), штат Техас.
Напомним, что архитектура ORNAND объединяет (по мере возможностей) преимущества NAND и NOR – высокую плотность и быструю скорость чтения/записи. Производители сотовых телефонов, которые пожелают использовать MCP-решения Spansion, смогут также использовать встроенную NOR-память.
Источник отмечает, что Spansion официально подтвердила намерение начать поставки пробных экземпляров уже в этом году, добавив, что в будущем году собирается выпустить 2-Гбит версию.
В 1-Гбит MCP-микросхему также войдет использующая технологию MirrorBit флэш-память архитектуры NOR и однотранзисторная (1T) псевдостатическая оперативная память (1T PSRAM). Spansion планирует выпускать 90-нм ORNAND-чипы на заводе Fab 25 в Остине (Austin), штат Техас.
Напомним, что архитектура ORNAND объединяет (по мере возможностей) преимущества NAND и NOR – высокую плотность и быструю скорость чтения/записи. Производители сотовых телефонов, которые пожелают использовать MCP-решения Spansion, смогут также использовать встроенную NOR-память.
Ещё новости по теме:
18:20