Компания Samsung начала серийный выпуск 64-слойной флэш-памяти V-NAND
Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, используемых в серверах, ПК и мобильных устройствах.
Отгрузка ознакомительных образцов SSD, в которых используется указанная память, началась еще в январе. Сейчас производитель разрабатывает изделия других категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, которые он рассчитывает представить позже в этом году.
Наращивая выпуск 64-слойных микросхем V-NAND, которые иначе называются V-NAND четвертого поколения, производитель планирует, что до конца года они будут составлять более полвины всего выпускаемого им объема флэш-памяти.
Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по три бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что является рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Кроме того, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение примерно в четыре раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса.
По сравнению с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотность 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности является на 30% энергетически более эффективной, поскольку напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. При этом надежность возросла на 20%.
Источник: Samsung Electronics
Отгрузка ознакомительных образцов SSD, в которых используется указанная память, началась еще в январе. Сейчас производитель разрабатывает изделия других категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, которые он рассчитывает представить позже в этом году.
Наращивая выпуск 64-слойных микросхем V-NAND, которые иначе называются V-NAND четвертого поколения, производитель планирует, что до конца года они будут составлять более полвины всего выпускаемого им объема флэш-памяти.
Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по три бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что является рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Кроме того, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение примерно в четыре раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса.
По сравнению с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотность 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности является на 30% энергетически более эффективной, поскольку напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. При этом надежность возросла на 20%.
Источник: Samsung Electronics
Ещё новости по теме:
18:20