Fujitsu переходит на 65-нм нормы
Fujitsu официально объявила о доступности своих технологических процессов для изготовления логических схем и систем-на-чипе (SoC, system-on-a-chip) с соблюдением норм 65 нм. Таким образом, компания "вступила в клуб" готовых перейти на 65-нм нормы производителей, в котором уже состоят Intel, Toshiba, TI и TSMC.
Если быть точным, то Fujitsu представила два 65-нм процесса, CS200 и CS200A, которые предназначаются для ASIC и COT (customer-owned tooling, настройка под нужды клиента). Оба процессора позволяют создавать транзисторы, размер которых на 25% меньше, чем их 90-нм аналоги. Длина затвора транзисторов, выполненных по CS200/CS200A, составляет 30 нм, вместо соединения поликристаллического кремния с кобальтом используется никель, что обеспечивает меньшее сопротивление затвора.
CS200 и CS200A используют 11 слоев медных проводников вместо 10, что должно позволить создавать сложные системы-на-чипе. Кроме меди, в процессах Fujitsu задействованы пористые диэлектрики с ультранизкой диэлектрической проницаемостью (ultra low-k).
Серия CS200 предназначается для производства высокопроизводительных серверных процессоров. CS200A адаптирована для мобильных устройств, таких как процессоры базовой логики и приложений для мобильных телефонов, ноутбуков или иных устройств, к которым предъявляются высокие требования по экономичности.
В настоящее время Fujitsu принимает заказы на производство, которое начнется в первом календарном квартале 2006 года. Микросхемы, выпускаемые по CS200 и CS200A, будут доступны в форм-факторе BGA и FC-BGA.
Если быть точным, то Fujitsu представила два 65-нм процесса, CS200 и CS200A, которые предназначаются для ASIC и COT (customer-owned tooling, настройка под нужды клиента). Оба процессора позволяют создавать транзисторы, размер которых на 25% меньше, чем их 90-нм аналоги. Длина затвора транзисторов, выполненных по CS200/CS200A, составляет 30 нм, вместо соединения поликристаллического кремния с кобальтом используется никель, что обеспечивает меньшее сопротивление затвора.
CS200 и CS200A используют 11 слоев медных проводников вместо 10, что должно позволить создавать сложные системы-на-чипе. Кроме меди, в процессах Fujitsu задействованы пористые диэлектрики с ультранизкой диэлектрической проницаемостью (ultra low-k).
Серия CS200 предназначается для производства высокопроизводительных серверных процессоров. CS200A адаптирована для мобильных устройств, таких как процессоры базовой логики и приложений для мобильных телефонов, ноутбуков или иных устройств, к которым предъявляются высокие требования по экономичности.
В настоящее время Fujitsu принимает заказы на производство, которое начнется в первом календарном квартале 2006 года. Микросхемы, выпускаемые по CS200 и CS200A, будут доступны в форм-факторе BGA и FC-BGA.
Ещё новости по теме:
18:20