Philips ставит на поток производство по технологии CMOS 90 нм
Компания Philips объявила о начале массового производства трех полупроводниковых изделий по 90-нм технологии CMOS на заводе Crolles2 Alliance во Франции. Одно из них уже выпускается в количестве более миллиона штук в месяц. Изделия являются компонентами интегрированной однокорпусной системы (System-in-Package, SiP) для коммуникационного оборудования. Таким образом, Philips на практике демонстрирует возможность массового производства по технологии CMOS с соблюдением 90-нм норм, которая позволяет уменьшить размер и энергопотребление элементов, а также удержать их цену на конкурентоспособном уровне.
Быстрый переход от опытного производства по 90-нм нормам к массовому выпуску продукции означает, что скоро Philips начнет передачу технологии производства своему партнеру, компании TSMC. Это следует из условий соглашения, заключенного между компаниями: программа совместной разработки гарантирует "выравнивание [технологических] процессов" CMOS, используемых Philips и TSMC при производстве по нормам 90 нм.
Неслучайно для массового производства по нормам 90 нм на фабрике Crolles2 были выбраны продукты Philips, являющиеся компонентами однокорпусных решений для Bluetooth и беспроводных сетей. Дело в том, что при изготовлении однокристальных систем (System-on-Chip, SoC) аналогичного назначения по технологии более старых процессов, производители часто сталкиваются с их ограничениями, вызванными необходимостью изготавливать весь чип (аналоговую и цифровые части, радиочастотные компоненты, память) в ходе одного процесса. В свою очередь, раздельное изготовление компонентов SiP обеспечивает преимущества от оптимизации каждого компонента по критерию размера, стоимости и энергопотребления. В качестве примера можно привести решение Philips для IEEE 802.11g - однокорпусную систему BGW211, имеющую самое низкое энергопотребление среди аналогов.
Хотя процесс CMOS 90 нм сегодня используется, главным образом, для схем цифровой обработки, его варианты для изделий, выполняющих другие функции, таких, как встроенная энергонезависимая память и радиочастотные схемы, не за горами. Несколько опытных чипов и полтора десятка новых изделий уже находятся в разработке. Вслед за внедрением вышеупомянутого процесса CMOS 90 нм на фабрике Crolles2, Philips планирует освоить выпуск по нормам 90 нм энергонезависимой памяти Flash/EEPROM и выпуск радиочастотных цепей по технологии RFCMOS.
Источник: Philips
Быстрый переход от опытного производства по 90-нм нормам к массовому выпуску продукции означает, что скоро Philips начнет передачу технологии производства своему партнеру, компании TSMC. Это следует из условий соглашения, заключенного между компаниями: программа совместной разработки гарантирует "выравнивание [технологических] процессов" CMOS, используемых Philips и TSMC при производстве по нормам 90 нм.
Неслучайно для массового производства по нормам 90 нм на фабрике Crolles2 были выбраны продукты Philips, являющиеся компонентами однокорпусных решений для Bluetooth и беспроводных сетей. Дело в том, что при изготовлении однокристальных систем (System-on-Chip, SoC) аналогичного назначения по технологии более старых процессов, производители часто сталкиваются с их ограничениями, вызванными необходимостью изготавливать весь чип (аналоговую и цифровые части, радиочастотные компоненты, память) в ходе одного процесса. В свою очередь, раздельное изготовление компонентов SiP обеспечивает преимущества от оптимизации каждого компонента по критерию размера, стоимости и энергопотребления. В качестве примера можно привести решение Philips для IEEE 802.11g - однокорпусную систему BGW211, имеющую самое низкое энергопотребление среди аналогов.
Хотя процесс CMOS 90 нм сегодня используется, главным образом, для схем цифровой обработки, его варианты для изделий, выполняющих другие функции, таких, как встроенная энергонезависимая память и радиочастотные схемы, не за горами. Несколько опытных чипов и полтора десятка новых изделий уже находятся в разработке. Вслед за внедрением вышеупомянутого процесса CMOS 90 нм на фабрике Crolles2, Philips планирует освоить выпуск по нормам 90 нм энергонезависимой памяти Flash/EEPROM и выпуск радиочастотных цепей по технологии RFCMOS.
Источник: Philips
Ещё новости по теме:
18:20