Память объемом в 100 Гб благодаря нанотехнологиям!
Исследователи при лондонском Imperial College объявили о том, что разработали новую технологию, которая позволит создавать трехмерные микрочипы, - на их основе можно будет создавать модули памяти очень высокой, по сегодняшним меркам, емкости.
Новый чип может вмещать большой объем данных на малой площади, для этого используется сложная сеть взаимосвязанных нанообъектов - узлов сети. В этих же узлах может быть задействованы базовые вычислительные функции, т.е. имеем дело с чем-то весьма напоминающим нейронную сеть с ее нейронами и аксонами.
Последние исследования ученых из Университета Шеффилд (University of Sheffield) и Университета Дурхэм (Durham University) позволяют рассчитывать на то, что на основе данной технологии в скором времени можно будет создавать носители памяти, сравнимые по емкости с современными жесткими дисками, но при материальных затратах на производство такими же, как у микросхем памяти. Таким образом, емкость микросхемы памяти можно будет увеличить до 500 Мб- 100 Гб!
Рассел Коуберн (Russell Cowburn), профессор нанотехнологии при Imperial College отметил: "Новые мобильные телефоны со встроенным видео очень популярны сейчас, но им очень не хватает того объема памяти которрй они сейчас комплектуются или которым могут быть расширены. Наша технология позволит превратить их в полноценные многофункциональные устройства".
Технология основана на исследованиях Коуберна и его коллег, они обнаружили, что с помощью нанотехнологий можно репродуцировать ключевые функции современных и привычных полупроводниковых продуктов. При этом используется лишь спин электрона, который отвечает за магнетизм.
Это и позволило ученым сконструировать принципиально новую 3D-архитектуру электронных компонентов.
Сейчас команда профессора Коуберна работает над воплощением технологии в реальных продуктах.
Источник: CDR info
Новый чип может вмещать большой объем данных на малой площади, для этого используется сложная сеть взаимосвязанных нанообъектов - узлов сети. В этих же узлах может быть задействованы базовые вычислительные функции, т.е. имеем дело с чем-то весьма напоминающим нейронную сеть с ее нейронами и аксонами.
Последние исследования ученых из Университета Шеффилд (University of Sheffield) и Университета Дурхэм (Durham University) позволяют рассчитывать на то, что на основе данной технологии в скором времени можно будет создавать носители памяти, сравнимые по емкости с современными жесткими дисками, но при материальных затратах на производство такими же, как у микросхем памяти. Таким образом, емкость микросхемы памяти можно будет увеличить до 500 Мб- 100 Гб!
Рассел Коуберн (Russell Cowburn), профессор нанотехнологии при Imperial College отметил: "Новые мобильные телефоны со встроенным видео очень популярны сейчас, но им очень не хватает того объема памяти которрй они сейчас комплектуются или которым могут быть расширены. Наша технология позволит превратить их в полноценные многофункциональные устройства".
Технология основана на исследованиях Коуберна и его коллег, они обнаружили, что с помощью нанотехнологий можно репродуцировать ключевые функции современных и привычных полупроводниковых продуктов. При этом используется лишь спин электрона, который отвечает за магнетизм.
Это и позволило ученым сконструировать принципиально новую 3D-архитектуру электронных компонентов.
Сейчас команда профессора Коуберна работает над воплощением технологии в реальных продуктах.
Источник: CDR info
Ещё новости по теме:
18:20