Начато серийное производство чипов памяти с рекордной емкостью
Samsung первой среди других приступила к серийному производству чипов памяти V-NAND емкостью 32 ГБ. Компания SanDisk, анонсировавшая аналогичные чипы несколько дней назад, готовится начать их массовый выпуск лишь в будущем году.
Серийное производство
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев ячеек и предназначена для использования в твердотельных накопителях. Новая память отновится к третьему поколению памяти V-NAND. Второе поколение чипов, в которых было 32 слоя ячеек, компания анонсировала в августе 2014 г.
Вдвое увеличенная емкость
Плотность записи данных для новой флэш-памяти в два раза превышает аналогичные показатели традиционных чипов флэш-памяти (128 Гбит). Помимо того, что удалось обеспечить объем памяти 32 ГБ на базе одного кристалла, новый чип также позволит удвоить емкость существующих твердотельных накопителей Samsung и стать оптимальным решением для мультитерабайтных твердотельных дисков, рассказали в компании.
Десятки миллиардов ячеек в одном чипе
В новом чипе V-NAND в каждой ячейке используется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и образуют, таким образом, 48-слойный массив, который подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря специальной технологии травления.
В целом каждый чип включает более чем 85,3 млрд ячеек. Каждая ячейка может хранить три бита данных, что в целом позволяет хранить 256 млрд бит данных. «Другими словами, объем данных 256 Гбит умещается на чипе, который можно разместить на кончике пальца», — пояснили в компании.
Чипы NAND-памяти Samsung емкостью 3 ГБ
Сниженное энергопотребление
48-слойный чип потребляет электроэнергии примерно на 30% меньше по сравнению с 32-слойным чипом в расчете на единицу емкости. В ходе производства нового чипа также обеспечивается рост производительности приблизительно на 40% по сравнению с его 32-слойным предшественником, что в итоге позволяет сделать цены на твердотельные диски более привлекательными, при этом не требуется замена уже существующего оборудования, утверждают в Samsung.
Перспективы новой памяти
Компания планирует производить третье поколение памяти V-NAND на протяжении оставшихся месяцев 2015 г., чтобы ускорить переход на терабайтные твердотельные диски. Внедряя твердотельные диски, предназначенные для рядовых потребителей, с плотностью записи данных в 2 ТБ и выше, Samsung рассчитывает увеличить объемы продаж твердотельных дисков, предназначенных для крупных предприятий и центров обработки данных.
Аналогичная память от SanDisk
В начале августа 2015 г. о намерении приступить к производству чипов памяти с аналогичной структурой и емкостью сообщила компания SanDisk. В настоящее время она осуществляет поставки текстовых образцов чипов. Серийный выпуск планируется начать в 2016 г.
Серийное производство
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 256-гигабитной, трехмерной (3D) флэш-памяти Vertical NAND (V-NAND), которая включает 48 слоев ячеек и предназначена для использования в твердотельных накопителях. Новая память отновится к третьему поколению памяти V-NAND. Второе поколение чипов, в которых было 32 слоя ячеек, компания анонсировала в августе 2014 г.
Вдвое увеличенная емкость
Плотность записи данных для новой флэш-памяти в два раза превышает аналогичные показатели традиционных чипов флэш-памяти (128 Гбит). Помимо того, что удалось обеспечить объем памяти 32 ГБ на базе одного кристалла, новый чип также позволит удвоить емкость существующих твердотельных накопителей Samsung и стать оптимальным решением для мультитерабайтных твердотельных дисков, рассказали в компании.
Десятки миллиардов ячеек в одном чипе
В новом чипе V-NAND в каждой ячейке используется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и образуют, таким образом, 48-слойный массив, который подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря специальной технологии травления.
В целом каждый чип включает более чем 85,3 млрд ячеек. Каждая ячейка может хранить три бита данных, что в целом позволяет хранить 256 млрд бит данных. «Другими словами, объем данных 256 Гбит умещается на чипе, который можно разместить на кончике пальца», — пояснили в компании.
Чипы NAND-памяти Samsung емкостью 3 ГБ
Сниженное энергопотребление
48-слойный чип потребляет электроэнергии примерно на 30% меньше по сравнению с 32-слойным чипом в расчете на единицу емкости. В ходе производства нового чипа также обеспечивается рост производительности приблизительно на 40% по сравнению с его 32-слойным предшественником, что в итоге позволяет сделать цены на твердотельные диски более привлекательными, при этом не требуется замена уже существующего оборудования, утверждают в Samsung.
Перспективы новой памяти
Компания планирует производить третье поколение памяти V-NAND на протяжении оставшихся месяцев 2015 г., чтобы ускорить переход на терабайтные твердотельные диски. Внедряя твердотельные диски, предназначенные для рядовых потребителей, с плотностью записи данных в 2 ТБ и выше, Samsung рассчитывает увеличить объемы продаж твердотельных дисков, предназначенных для крупных предприятий и центров обработки данных.
Аналогичная память от SanDisk
В начале августа 2015 г. о намерении приступить к производству чипов памяти с аналогичной структурой и емкостью сообщила компания SanDisk. В настоящее время она осуществляет поставки текстовых образцов чипов. Серийный выпуск планируется начать в 2016 г.
Ещё новости по теме:
18:20