Samsung представила первый флеш-накопитель на 128 ГБ для смартфонов
Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства первого в индустрии сверхбыстрого 128-гигабайтного флеш-накопителя, базирующегося на интерфейсе UFS 2.0 (Universal Flash Storage). Он совместим со стандартом JEDEC и подходит для использования в новейших поколениях флагманских смартфонов.
Память UFS поддерживает «Очередь команд» (Command Queue), технологию, увеличивающую скорость выполнения команд SSD-накопителей через последовательный интерфейс. Такой подход ускоряет память по сравнению с устройствами стандарта eMMC 5.0 с восьмибитным параллельным интерфейсом. В результате память Samsung UFS проводит 19 тысяч операций ввода/вывода в секунду при случайном чтении, что в 2,7 раз быстрее, чем большинство современных решений памяти стандарта EMMC 5.0, используемой в высокопроизводительных смартфонах. Также память обеспечивает прирост скорости операций последовательного чтения/записи до уровня SSD, хотя потребляет вдвое меньше энергии. А скорость случайного чтения в 12 раз превышает ту, что демонстрирует типичная высокоскоростная карта памяти (1500 IOPS), что должно положительно сказаться на производительности системы в целом. Скорость операции случайной записи данных на накопитель составляет 14 тысяч IOPS, что в 28 раз быстрее обычной внешней карты памяти. Такая скорость позволит беспроблемно воспроизводить видео с разрешением UHD.
Новые UFS производства Samsung представлены в трех версиях — с объемом в 128, 62 и 32 гигабайта. Гибкость в проектировании новых мобильных устройств обеспечивает выпуск новинки в формате ePoP (embedded package on package, встроенный пакет в пакете), что позволит ей занимать вдвое меньше места.
Память UFS поддерживает «Очередь команд» (Command Queue), технологию, увеличивающую скорость выполнения команд SSD-накопителей через последовательный интерфейс. Такой подход ускоряет память по сравнению с устройствами стандарта eMMC 5.0 с восьмибитным параллельным интерфейсом. В результате память Samsung UFS проводит 19 тысяч операций ввода/вывода в секунду при случайном чтении, что в 2,7 раз быстрее, чем большинство современных решений памяти стандарта EMMC 5.0, используемой в высокопроизводительных смартфонах. Также память обеспечивает прирост скорости операций последовательного чтения/записи до уровня SSD, хотя потребляет вдвое меньше энергии. А скорость случайного чтения в 12 раз превышает ту, что демонстрирует типичная высокоскоростная карта памяти (1500 IOPS), что должно положительно сказаться на производительности системы в целом. Скорость операции случайной записи данных на накопитель составляет 14 тысяч IOPS, что в 28 раз быстрее обычной внешней карты памяти. Такая скорость позволит беспроблемно воспроизводить видео с разрешением UHD.
Новые UFS производства Samsung представлены в трех версиях — с объемом в 128, 62 и 32 гигабайта. Гибкость в проектировании новых мобильных устройств обеспечивает выпуск новинки в формате ePoP (embedded package on package, встроенный пакет в пакете), что позволит ей занимать вдвое меньше места.
Ещё новости по теме:
18:20