Intel заверяет, что освоение 10-нанометрового техпроцесса идет по плану
На мероприятии International Solid State Circuits Conference (ISSCC) компания Intel рассказала об освоении передовых техпроцессов, констатировав, что развитие полупроводниковой технологии продолжает следовать закону Мура.
Как утверждает производитель, сложности с 14-нанометровым техпроцессом успешно преодолены. Подготовка к тестовому 10-нанометровому производству идет по плану.
Компания задержалась с выпуском 14-нанометровой продукции для массового рынка примерно на 6–9 месяцев. Однако даже это не помешало Intel сохранить лидерство. На указанном шаге технологических норм компания Intel имеет превосходство над ближайшими конкурентами в лице TSMC и Samsung, поскольку ее 14-нанометровая продукция имеет лучшие параметры.
В Intel заверяют, что преимущества сохранятся и на шаге 10 нм. Масштабирование позволит повысить степень интеграции, снизив стоимость в расчете на один транзистор. Однако, 10 нм — рубеж, за которым придется менять технологию. В Intel ведут исследования, направленные на выбор подходящей технологии, упоминая возможность использования в перспективе углеродных нанотрубок и графена.
Одним из направлений повышения степени интеграции является переход к объемной компоновке. Располагая чипы слоями, можно не форсировать переход к более тонкому техпроцессу, увеличивая число транзисторов в микросхеме за счет увеличения числа слоев. В первую очередь, такой подход годится для интеграции SoC и памяти.
Источник: WCCFtech
Теги: IntelКомментировать
Как утверждает производитель, сложности с 14-нанометровым техпроцессом успешно преодолены. Подготовка к тестовому 10-нанометровому производству идет по плану.
Компания задержалась с выпуском 14-нанометровой продукции для массового рынка примерно на 6–9 месяцев. Однако даже это не помешало Intel сохранить лидерство. На указанном шаге технологических норм компания Intel имеет превосходство над ближайшими конкурентами в лице TSMC и Samsung, поскольку ее 14-нанометровая продукция имеет лучшие параметры.
В Intel заверяют, что преимущества сохранятся и на шаге 10 нм. Масштабирование позволит повысить степень интеграции, снизив стоимость в расчете на один транзистор. Однако, 10 нм — рубеж, за которым придется менять технологию. В Intel ведут исследования, направленные на выбор подходящей технологии, упоминая возможность использования в перспективе углеродных нанотрубок и графена.
Одним из направлений повышения степени интеграции является переход к объемной компоновке. Располагая чипы слоями, можно не форсировать переход к более тонкому техпроцессу, увеличивая число транзисторов в микросхеме за счет увеличения числа слоев. В первую очередь, такой подход годится для интеграции SoC и памяти.
Источник: WCCFtech
Теги: IntelКомментировать
Ещё новости по теме:
18:20