ON Semiconductor представила свой вариант датчиков изображения типа CMOS с объемной компоновкой

На выставке CES компания ON Semiconductor представила свой первый полнофункциональный датчик изображения типа CMOS с объемной компоновкой. По сравнению с обычными датчиками он имеем меньший размер, лучшие характеристики пикселей и меньшее энергопотребление. Разработка была успешно реализована в тестовом чипе с размером пикселей 1,1 мкм, который должен стать серийным продуктом позже в этом году.

В обычных датчиках используется монолитная подложка, на которой для массива пикселей и вспомогательных цепей выделены отдельные участки. Технология объемной компоновки предусматривает размещение массива пикселей и вспомогательных цепей на разных подложках, которые соединяются с помощью межслойных соединений (TSV). Это позволяет более эффективно распорядиться площадью кристалла, независимо оптимизировать каждую из двух составляющих для улучшения характеристик датчика. В частности, оптимизация массива пикселей приводит к повышению светочувствительности и снижению уровня шума, а оптимизация чипа с вспомогательными цепями приводит к снижению энергопотребления. Уменьшение площади датчика позволяет при тех же габаритах модуля камеры разместить в нем оптический стабилизатор или память.

Напомним, компания Sony сообщила о разработке датчика изображения типа CMOS с объемной компоновкой три года назад, а в августе 2012 года был представлен датчик изображения Exmor RS, в котором впервые в мире использовался разработанный Sony принцип многослойной компоновки.

Источник: ON Semiconductor

Комментировать