Специалисты Crossbar устранили одно из основных препятствий на пути к серийному выпуску энергонезависимой памяти 3D RRAM
Специалисты компании Crossbar сделали очередной шаг к серийному выпуску микросхем резистивной памяти с объемной компоновкой (3D RRAM), которые, по словам разработчика, смогут иметь терабайтный объем при площади с почтовую марку.
В ходе мероприятия IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в Сан-Франциско представители компании рассказали о подходе, позволяющем подавить паразитный ток, мешающий уверенно считывать данные из отдельных ячеек памяти. Таким образом, устраняется одно из основных препятствий на пути к серийному выпуску RRAM.
В памяти используется запатентованная структура 1TnR, в которой один транзистор работает с большим числом ячеек памяти, за счет чего обеспечивается высокая плотность хранения. По данным разработчика, 1TnR позволяет одному транзистору питать более 2 000 ячеек, но при том снижается производительность и надежность по сравнению с обычным массивом RRAM. Исправить положение позволяет управляемый полем сверхлинейный прибор для выбора порога срабатывания, в котором проводящий путь формируется при пороговом напряжении. Как утверждается, это первый прибор такого типа, способный подавлять ток утечки менее 0,1 нА. Его работоспособность успешно продемонстрирована в массиве ячеек 3D RRAM плотностью 4 Мбит.
Данных о том, когда чудо-память появится на рынке, пока нет.
Источник: Crossbar
Комментировать
В ходе мероприятия IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) в Сан-Франциско представители компании рассказали о подходе, позволяющем подавить паразитный ток, мешающий уверенно считывать данные из отдельных ячеек памяти. Таким образом, устраняется одно из основных препятствий на пути к серийному выпуску RRAM.
В памяти используется запатентованная структура 1TnR, в которой один транзистор работает с большим числом ячеек памяти, за счет чего обеспечивается высокая плотность хранения. По данным разработчика, 1TnR позволяет одному транзистору питать более 2 000 ячеек, но при том снижается производительность и надежность по сравнению с обычным массивом RRAM. Исправить положение позволяет управляемый полем сверхлинейный прибор для выбора порога срабатывания, в котором проводящий путь формируется при пороговом напряжении. Как утверждается, это первый прибор такого типа, способный подавлять ток утечки менее 0,1 нА. Его работоспособность успешно продемонстрирована в массиве ячеек 3D RRAM плотностью 4 Мбит.
Данных о том, когда чудо-память появится на рынке, пока нет.
Источник: Crossbar
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20