Samsung Galaxy S6 может получить сверхскоростную память UFS Flash

Стали известны некоторые подробности о флагманском смартфоне Samsung следующего поколения, знакомом нам под кодовым наименованием Project Zero. Согласно сведениям корейского интернет-издания ETNews, данный аппарат с вероятным названием Galaxy S6 вполне может получить сверхскоростную флеш-память стандарта UFS 2.0, к массовому производству которой сейчас готовится Samsung Electronics. Если подобное в самом деле случится, это может стать прорывом в мобильной индустрии и одной из фишек гаджета.



Дело в том, что флеш-память стандарта UFS 2.0 благодаря своим особенностям способна обеспечить скорость работы с данными на уровне 1,2 ГБ/с, что втрое превышает цифры, демонстрируемые стандартной eMMC NAND, используемой сейчас в смартфонах в роли внутренней накопительной памяти (400 МБ/с). Таким образом, имеются все возможности значительно повысить быстродействие мобильных устройств в плане работы с ПО и т. д., кроме того, UFS 2.0 отличается достаточной энергоэффективностью, что немаловажно. К слову, подобную флеш-память помимо Samsung планирует применять и китайская Xiaomi.