Samsung начинает серийное производство 8-гигабитной памяти DDR4 на основе техпроцесса 20 нм
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первой в отрасли памяти 8Gb DDR4 и 32-гигабайтного (ГБ) модуля, которые производятся с использованием нового технологического процесса 20 нм и предназначены для корпоративных серверов.
«Наш новый модуль памяти 8Gb DDR4 DRAM на основе процесса 20 нм на данный момент превышает требования к производительности, плотности записи данных и энергоэффективности, благодаря чему он будет стимулировать распространение корпоративных серверов следующего поколения, — заявил Джихо Баик, вице-президент, подразделение маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Расширяя линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм, мы сможем предоставлять решения DRAM премиум-уровня с высокой плотностью записи данных, удовлетворяя при этом растущий спрос со стороны потребителей на международном рынке корпоративных решений премиум-уровня».
Благодаря появлению новой памяти 8Gb DDR4, компания Samsung сейчас может предложить своим клиентам полноценную линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм: это позволит открыть новую эру с точки зрения производительности памяти DRAM 20 нм, которая теперь включает модули памяти 4Gb DDR3 20 нм для ПК и 6Gb LPDDR3 20 нм для мобильных устройств.
Новая память DDR4 с высокой плотностью записи данных также поддерживает улучшенные функции исправления ошибок, что повышает надежность памяти при сборке корпоративных серверов. Кроме того, в новых чипах и модулях DDR4 энергопотребление составляет 1,2 В, что на данный момент является наименьшим возможным значением напряжения.
«Наш новый модуль памяти 8Gb DDR4 DRAM на основе процесса 20 нм на данный момент превышает требования к производительности, плотности записи данных и энергоэффективности, благодаря чему он будет стимулировать распространение корпоративных серверов следующего поколения, — заявил Джихо Баик, вице-президент, подразделение маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Расширяя линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм, мы сможем предоставлять решения DRAM премиум-уровня с высокой плотностью записи данных, удовлетворяя при этом растущий спрос со стороны потребителей на международном рынке корпоративных решений премиум-уровня».
Благодаря появлению новой памяти 8Gb DDR4, компания Samsung сейчас может предложить своим клиентам полноценную линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм: это позволит открыть новую эру с точки зрения производительности памяти DRAM 20 нм, которая теперь включает модули памяти 4Gb DDR3 20 нм для ПК и 6Gb LPDDR3 20 нм для мобильных устройств.
Новая память DDR4 с высокой плотностью записи данных также поддерживает улучшенные функции исправления ошибок, что повышает надежность памяти при сборке корпоративных серверов. Кроме того, в новых чипах и модулях DDR4 энергопотребление составляет 1,2 В, что на данный момент является наименьшим возможным значением напряжения.
Ещё новости по теме:
18:20