Samsung первой в отрасли приступает к массовому производству 3-битной 3D V-NAND

Компания Samsung Electronics еще раз подтвердила лидирующие позиции в сфере флеш-памяти, официально сообщив о начале массового производства первой в отрасли 3-битной 3D V-NAND с многоуровневыми ячейками (MLC), предназначенной для использования в твердотельных накопителях. Данное достижение, как надеются в корейской корпорации, позволит не только расширить ассортимент предлагаемых на рынке фирменных SSD, но и ускорит общий переход на этот тип накопителей с более традиционных жестких дисков.



Отметим, что вышеупомянутый тип памяти представляет собой уже второе поколение V-NAND от Samsung, а в состав кристалла тут входят 32 вертикально расположенных слоя ячеек. При этом каждый такой чип флеш-памяти способен хранить 128 Гбит информации, а сам переход на подобную компоновку позволяет значительно повысить эффективность производства NAND, что, естественно, должно сказаться и на стоимости готовых изделий. На