Toshiba начинает выпуск новых встраиваемых модулей флэш-памяти NAND по 19-нм техпроцессу второго поколения
Корпорация Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Встраиваемые модули предназначены для применения в широком спектре цифровых потребительских продуктов, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. Серийное производство начнется с конца ноября, рассказали CNews в корпорации.
По данным компании, сегодня продолжает расти спрос на ИС флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и оптимизированным хранилищем. Это особенно актуально там, где требуется встроенная память с функцией контроллера, которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию. Toshiba отвечает на потребности рынка, расширяя свою линейку модулей памяти высокой плотности.
В разработанный компанией новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 гигабайт (ГБ) интегрировано четыре созданных с использованием передовой 19-нанометровой технологии Toshiba второго поколения ИС NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 ГБ) каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером всего 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC eeMMC версии 5.0, опубликованным Объединенным советом по разработке электронных устройств (JEDEC) в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400, отметили в Toshiba.
По информации корпорации, интерфейс, совместимый со стандартом JEDEC e•MMC V5.0, обеспечивает базовые функции, включая управление записью блоков данных, коррекцию ошибок и программные драйверы. Он упрощает разработку систем, позволяя производителям снижать затраты на разработку и ускорять вывод на рынок новых и модернизированных продуктов.
Новые встраиваемые модули флэш-памяти NAND от Toshiba с поддержкой JEDEC eeMMC версии 5.0
Корпорация предложит ИС NAND в виде линейки встраиваемых однокорпусных модулей флэш-памяти NAND объемом от 4 до 128 ГБ. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. Вслед за модулями объемом 16 ГБ и 32 ГБ Toshiba выпустит также модули с объемами 4 ГБ, 8 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. По словам производителей, во встроенный в систему модуль 128 ГБ может быть записано до 2222 часов музыки со скоростью передачи 128 Кбит/с, 16,6 часа видео высокой четкости (Full HD) или 38,4 часа видео стандартной четкости.
По данным компании, сегодня продолжает расти спрос на ИС флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и оптимизированным хранилищем. Это особенно актуально там, где требуется встроенная память с функцией контроллера, которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию. Toshiba отвечает на потребности рынка, расширяя свою линейку модулей памяти высокой плотности.
В разработанный компанией новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 гигабайт (ГБ) интегрировано четыре созданных с использованием передовой 19-нанометровой технологии Toshiba второго поколения ИС NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 ГБ) каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером всего 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC eeMMC версии 5.0, опубликованным Объединенным советом по разработке электронных устройств (JEDEC) в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400, отметили в Toshiba.
По информации корпорации, интерфейс, совместимый со стандартом JEDEC e•MMC V5.0, обеспечивает базовые функции, включая управление записью блоков данных, коррекцию ошибок и программные драйверы. Он упрощает разработку систем, позволяя производителям снижать затраты на разработку и ускорять вывод на рынок новых и модернизированных продуктов.
Новые встраиваемые модули флэш-памяти NAND от Toshiba с поддержкой JEDEC eeMMC версии 5.0
Корпорация предложит ИС NAND в виде линейки встраиваемых однокорпусных модулей флэш-памяти NAND объемом от 4 до 128 ГБ. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. Вслед за модулями объемом 16 ГБ и 32 ГБ Toshiba выпустит также модули с объемами 4 ГБ, 8 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. По словам производителей, во встроенный в систему модуль 128 ГБ может быть записано до 2222 часов музыки со скоростью передачи 128 Кбит/с, 16,6 часа видео высокой четкости (Full HD) или 38,4 часа видео стандартной четкости.
Ещё новости по теме:
18:20