Fujitsu и Seiko Epson начинают разработку нового типа памяти

Компании Fujitsu и Seiko Epson заключили соглашение о совместной разработке ферроэлектрической оперативной памяти (FeRAM).

Специалисты двух гигантов планируют закончить работы уже к лету следующего года, уменьшив ячейку памяти в шесть раз по сравнению с традиционными ферроэлектрическими ОЗУ.

В рамках сотрудничества компания Seiko Epson предоставит Fujitsu технологию для создания новой FeRAM, в соответствии с которой Ti-часть (титановая) пьезоэлектрического измерительного преобразователя будет заменена на Nb (ниобий), что позволит улучшить гистерезисную характеристику, усовершенствовать процесс сохранения данных и усталостные свойства, а также повысить надежность FeRAM. Кроме этого, благодаря использованию архитектуры Crosspoint ячейки памяти могут размешаться вертикально, увеличивая объем записываемой информации при неизменной площади.