DDR3 от Infineon

Четверг, 16 июня 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Infineon официально объявила о выпуске первых образцов памяти DDR3, это наконец-то положит конец монополии Samsung.

Сейчас образцы микросхем обладают пропускной способностью 800 и 1067 МГц. В дальнейшем Infineon сосредоточится на увеличении этой цифры до 1600 МГц, что позволит удвоить результаты по сравнению даже с ещё не стандартизованной DDR2-800.

Ёмкость микросхем сейчас составляет 512 Мб и 1 Гб. Компания рассматривает возможность увеличения плотности до 8 Гб, конечно с промежуточными 2 и 4 Гб. Размер самих модулей памяти будет от 256 МБ до 8 ГБ для стандартизованных JEDEC, компания допускает изготовление более ёмких модулей на заказ.

К сожалению пока такая память в настольных компьютерах является излишеством, а с наметившимся отказом Intel от архитектуры NetBurst такая пропускная способность вообще может оказаться долгое время не востребованной. Даже сами производители заявляют что первый компьютер с памятью DDR3 появится не ранее конца 2006 года. Хотя более низкое напряжение питания (1.5 В у DDR3 против 1.8 у DDR2) даёт ей некоторое преимущество.

Более подробные характеристики памяти DDR3 от Infineon можно посмотреть в этом документе (43 КБ, PDF).



Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 665
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003