Samsung запустил 4 ГБ NAND в массовое производство

Вторник, 31 мая 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Samsung Electronics объявил о начале массового производства флэш-памяти NAND объемом в 4 Гб по 70-нанометровой технологии, а также об одновременном запуске линии по производству 300-миллиметровых плат.

Модуль NAND емкостью 4 ГБ имеет самую высокую плотность на сегодняшний день, благодаря использованию однослойных флэш-чипы (SLC (single level cells)) размером в 0,025 кв. мкм.

Также Samsung запустил производственную линию по выпуску 300-миллиметровых плат, предназначенных специально для флэш-памяти, на которой изначально выпускались флэш-память 2 ГБ по 90-нанометровой технологии.

По словам представителей компании 300-миллиметровые платы, из которых вырезаются чипы и схемы, в 2,25 раз продуктивнее предыдущих 200-миллиметровых плат, а 70-нанометровая технология превосходит 90-нанометровую на 65%.

Память NAND наиболее популярны в качестве запоминающих устройств для мобильных телефонов, МР3 плееров, цифровых камер, карт памяти, памяти USB и игровых систем. В этом году ожидаемый рынок продаж составит $8 млрд. с увеличением к 2008 г. до $13 млрд. Согласно Dataquest, Samsung Electronics контролировал 44,4% рынка NAND flash в 2002 г. и 54% в прошлом году.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1024
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Февраль 2005: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28