IBM начинает разработку чипов по 45-нм техпроцессу
Руководство IBM заключило соглашение с Toppan Printing, в камках которого специалисты обеих компаний займутся разработкой чипов по новому 45-нанометровому процессу.
Технология, которая будет создана совместными усилиями обеих компаний, позволит сократить расстояние между транзисторами с 90 и 65 до 45 нм, благодаря чему можно будет или уменьшить размеры чипа, и разместить на нем большее число транзисторов.
В основе решения лежит процесс разработки специального фотошаблона или фотомаски, предназначенных для вытравливания образцов интегральных схем на кремниевой пластине. Такая технология, по словам IBM, обеспечит не только качественное, но и быстрое производство новых чипов.
Технология, которая будет создана совместными усилиями обеих компаний, позволит сократить расстояние между транзисторами с 90 и 65 до 45 нм, благодаря чему можно будет или уменьшить размеры чипа, и разместить на нем большее число транзисторов.
В основе решения лежит процесс разработки специального фотошаблона или фотомаски, предназначенных для вытравливания образцов интегральных схем на кремниевой пластине. Такая технология, по словам IBM, обеспечит не только качественное, но и быстрое производство новых чипов.
Ещё новости по теме:
18:20