IBM, Infineon и Macronix будут разрабатывать новый тип памяти

Четверг, 26 мая 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Из ряда источников стало известно о том, что компании IBM, Infineon и Macronix намереваются совместными усилиями разрабатывать новый тип памяти под названием PCM (phase-change memory, память на основе фазового перехода).

Принцип работы такой памяти основывается на изменении агрегатного состояния вещества. Обратимое изменение вещества с кристаллического на аморфное позволит принять одно состояние за нуль, а другое - за один. В таком случае, меняя агрегатное состояние нескольких молекул, можно создать массив памяти, который вполне можно использовать на практике. Полезными свойствами является энергонезависимость, высокая надежность и скорость работы. Позиционируется PCM как замена флэш-памяти.

Однако, независимые эксперты считают, что до появления работающих образцов такой памяти должно пройти еще пару десятилетий. Хотя сотрудники трех вышеупомянутых компаний называют совсем другие сроки - 3-5 лет.

Исследования будут проводиться в двух лабораториях IBM в США. Работать над разработкой данной технологии будет около 20-25 специалистов.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 377
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru