Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 20-нанометрового класса

Пятница, 18 мая 2012 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Производитель не приводит точное значение технологических норм, поясняя, что к 20-нанометровому классу относятся техпроцессы, основанные на соблюдении норм от 20 до 29 нм. Серийный выпуск этой памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле.

В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 30-нанометрового класса.

Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8 мм. Такая микросхема будет примерно на 20% тоньше, чем микросхема объемом 2 ГБ, изготовленная из четырех кристаллов LPDDR2 плотностью 4 Гбит, изготовленных по нормам 30-нанометрового класса, утверждает производитель. Максимальная скорость новой памяти равна 1066 Мбит/с.

Источник: Samsung Electronics #vk

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 297
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru