Ученые изобрели структуру самого быстрого транзистора

Вторник, 12 апреля 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Новая структура транзистора, изобретенная учеными Иллинойского университета помогла преодолеть барьер в 600 ГГц, что делает возможным достичь частоту в терагерц для проведения высокоскоростных вычислений и эффективной передачи данных, сообщает Physorg.

Новое устройство на основе фосфида индия и арсенида индиума галлия имеет композиционный ступенчатый коллектор, базу и эмиттер, которые позволяют уменьшить время перехода и увеличить плотность тока. Ученые с помощью псевдоморфного биполярного транзистора с гетеропереходом (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) продемонстрировали скорость в 604 ГГц– самую быструю операционную скорость на сегодняшний день.

Новое устройство разработали профессор и исследователь Милтон Фенг (Milton Feng) и студент-выпускник Валид Хафез (Walid Hafez) в лаборатории микро- и нанотехнологий Иллинойского университета.

Быстрые транзисторы способствуют созданию более быстрых компьютеров, более гибких и защищенных систем беспроводной связи и более эффективных электронных систем военного назначения.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 695
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru