Компания Samsung представила новое поколение модулей памяти

Компания Samsung объявила о запуске производства нового поколения памяти для серверов и рабочих станций - полностью буфферизированных модулей (FB DIMM), основанных на технологии DDR2. Для повышения скорости обработки данных в FB DIM-модулях значительно увеличина плотность потока обрабатываемых данных регистровой памяти.



AMB (advanced memory buffer) чип был добавлен к каждому модулю памяти, чтобы стало возможным использовать одновременно высоко и низкоскоростные интерфейсы. Пропускная способность буфера находится в пределах от 3,2 до 4,8 Гб/сек. Максимальная достигаемая скорость новой FB DIMM от Samsung - 4,8 Гб/сек, что в два раза превышает скорость регистровых модулей памяти предыдущего поколения DDR2-400, основанных на технологии DDR2-800.

До настоящего времени с увеличением частоты шины памяти уменьшалась частота обращений к слоту памяти. В архитектуре FB DIMM этот недостаток устраняется организацией прямых соединений, которые позволяют нескольким модулям памяти быть соединенными последовательно для данного канала. Благодаря этому емкость возрастает. Все это позволит увеличить емкость канала до 8 Гб/сек на канал, что в общем увеличивает пропускную способность до 32 Гб/сек при использовании 1 Гб.

Благодаря FB DIMM повышается эффективность системы в целом за счет оптимизации архитектуры. В дополнение к вышесказанному использование памяти FB DIMM предотвращает ошибки, возникающие в серверных системах, когда количество модулей памяти превышает два на канал. Компания Samsung представила образцы FB DIMM 512 Мб и 1 Гб, которые полностью соответствуют стандарту JEDEC.

Популярные статьи на THG.ru:Высокое тепловыделение Pentium 4 560: он всё же включает троттлингНовый удар Intel: чипсет 925XE и P4EE 3,46 ГГцСравнение ядер Pentium 4 Northwood и Prescott на частоте 4,1 ГГц