Samsung Electronics разработал модули памяти нового поколения

Пятница, 18 марта 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Samsung Electronics представила модули памяти для серверов на основе технологии DDR2. В каждый модуль памяти вставлен AMB –чип для пользования как низко, так и высокоскоростным интерфейсом. Буфер работает со скоростью от 3,2 Гб/сек до 4,8 Гб/сек (что в 2 раза больше скорости предыдущего DDr2-400). Новый FB DIMM увеличивает общую производительную системы. Он предотвращает ошибки, случающиеся в сервере, когда число модулей памяти превосходит 2 на канал. Samsung представляет 512Mб и 1Гб FB DIMM-образцы, совместимые с существующими JEDEC-стандартами

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 380
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru