Toshiba выпустила чип емкостью 128 ГБ для портативной электроники

Корпорация Toshiba объявила о выпуске полупроводникового модуля с рекордной в индустрии емкостью 128 ГБ. Он поддерживает стандарт e-MMC и рассчитан на использование в широком спектре потребительской электроники: смартфонах, планшетных ПК, цифровых камерах, медиаплеерах и так далее. Поставки испытательных образцов планируется начать в сентябре 2010 г., а коммерческое производство – в 4-м квартале 2010 г., сообщается в пресс-релизе.

Модуль состоит из шестнадцати 64-гигабитных (8 ГБ) микросхем NAND-памяти толщиной 30 мкм, изготовленных на базе разработанного компанией 32-нм технологического процесса, и крошечный контроллер – все это помещается в упаковку с размерами 22 x 17 x 1,4 мм.

С выпуском нового модуля Toshiba стала производителем полного ряда чипов памяти емкостью от 2 до 128 ГБ. В августе компания планирует приступить к поставкам испытательных образов чипа емкостью 64 ГБ, также выполненного по 32-нм технологии, а до конца года начать его коммерческое производство.


Модуль памяти Toshiba емкостью 128 ГБ

Представленные компанией модули энергонезависимой NAND-памяти обеспечивают скорость работы в режиме чтения информации до 55 МБ в секунду и до 21 МБ в секунду – в режиме записи. Благодаря тому, что модули удовлетворяют спецификации JEDEC e-MMC 4.4, их легче интегрировать в существующие варианты конструкции устройств. Это снижает расходы производителей.