Samsung представила самую быструю DRAM память для мобильных телефонов

Среда, 19 января 2005 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Компания Samsung Electronics представила 512-мегабитную DRAM память для мобильных телефонов, которая обеспечивает скорость обработки данных до 1,3 ГБ в секунду, сообщает The Korea Times. В компании заявили, что теперь они создадут1-гигабитный чип, соединив две 512-мегабитных DRAM памяти.

Производители телекоммуникационного оборудования проявляют все большую заинтересованность в микросхемах DRAM для мобильных телефонов, т.к. эти чипы обладают более высокими характеристиками в отношении обработки голосовых данных и хранения больших объемов информации.

Новые чипы позволяют обрабатывать объем информации, эквивалентный пятилетнему архиву ежедневных газет объемом 40 страниц каждая за 1 секунду и затрачивать при этом 1,8 Вт электричества, в то время как современные аналоги потребляют от 2 до 3 Вт.

Ожидается, что производство новинки будет налажено уже во второй половине 2005 года. Представители компании считают, что новая разработка призвана значительно улучшить работу сотовых телефонов Samsung третьего поколения.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 698
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru